योजना का विवरण

विस्वेस्वरैया पीएचडी योजना को मार्च 2014 में केन्द्रीय आर्थिक मामलों की कैबिनेट समिति द्वारा ₹466 करोड़ की कुल लागत पर नौ वर्षों (2014–2023) के लिए स्वीकृत किया गया, जिसमें नए आवेदकों के चयन के लिए पाँच वर्षों की अवधि है। इसका उद्देश्य इलेक्ट्रॉनिक्स सिस्टम डिज़ाइन एवं निर्माण (ESDM) और IT/ITeS क्षेत्रों में पीएचडी की संख्या बढ़ाना, आर&डी इकोसिस्टम को सशक्त करना, एवं राष्ट्रीय नीति (NPE 2012, NPIT 2012) की प्रतिबद्धताओं को पूरा करना।

लाभ

• पूर्णकालिक फेलोशिप:
  • वर्ष I–II: ₹38,750 मासिक; वर्ष III–V: ₹43,750 मासिक
• वार्षिक खर्च अनुदान: ₹30,000 प्रति वर्ष (पुस्तकें, उपकरण, रसायन, सम्मेलन शुल्क आदि)
• किराया प्रतिपूर्ति: X/Y/Z शहरों में फेलोशिप का 30%/20%/10% तक
• अंतर्राष्ट्रीय सम्मेलन सहायता: ₹50,000 तक प्रति सम्मेलन (अधिकतम 2 सम्मेलनों तक)
• अवसंरचनात्मक अनुदान: ₹500,000 प्रति आवेदक
• संस्थागत अवरोध: ₹25,000 प्रति वर्ष (पूर्णकालिक)
• अंशकालिक प्रोत्साहन: ₹2,50,000 (पीएचडी पूर्ण होने पर एक‑बारगी)
• युवा संकाय अनुसंधान फेलोशिप (YFRF):
  • फेलोशिप: ₹20,000 मासिक + नियमित वेतन
  • खर्च अनुदान: ₹500,000 प्रति वर्ष (आगे स्थानांतरण संभव)

पात्रता

• आवेदक की योग्यता:
  • M.E./M.Tech/M.S. में ≥6.5 CGPA या ≥60% (SC/ST के लिए 55%)
  • या B.Tech (प्रासंगिक क्षेत्र) में GATE स्कोर के साथ ≥6.5 CGPA/60% (SC/ST के लिए 55%)
  • या IIT स्नातक ≥8.0 CGPA
  • या M.Sc/समान में प्रथम श्रेणी + GATE/UGC‑NET/CSIR‑NET।
• संस्थागत योग्यता:
  • UGC पीएचडी विनियम (2009) का अनुपालन
  • ESDM/IT/ITES में औसततः 3 वर्षों का पीएचडी इतिहास
  • AICTE और NBA या NAAC मान्यता
  • योग्य संस्थाएं: IIT, NIT, IISc, IISER, केन्द्रीय/राज्य/डिम्ड/निजी विश्वविद्यालय, R&D संस्थान।

आवेदन प्रक्रिया

आवश्यकताएं

• जन्म तिथि प्रमाणपत्र या 10वीं प्रमाणपत्र
• जाति प्रमाणपत्र (SC/ST/OBC‑NCL), यदि लागू हो
• विकलांगता प्रमाणपत्र, यदि लागू हो
• प्रायोजन प्रमाणपत्र (अंशकालिक/प्रायोजित के लिए)
• GATE/CSIR/UGC स्कोरकार्ड (मुद्रित प्रति)
• योग्यता प्रमाणपत्रों के अंक‑पत्र
• NOC/रिलीज सर्टिफिकेट (अंशकालिक के लिए)
• दो संदर्भ पत्र (पीएचडी के लिए)

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पूछे जाने वाले प्रश्न